cb44f1c6

Магниторезистивную память Everspin условились производить в Малайзии

Создатель энергонезависимой памяти MRAM (Magnetoresistive Рэм) Everspin Технолоджис рассказал о контрактённости начать выпуск собственной продукции на полупроводниковом изготовлении малайзийской компании SilTerra (в городке Кулим). Контракт заключён на 3 года и считается частью трёхстороннего лицензионного контракта между Everspin, SilTerra и германской организацией Bosch Sensortec, дочерней текстурой компании Dob Bosch GmbH.

 Информация в ячее MRAM находится в качестве намагниченности слоёв

Информация в ячее MRAM находится в качестве намагниченности слоёв

Энтузиазм подразделения Bosch Sensortec состоит в подготовке организацией Everspin датчиков магнитного поля на базе магнитного туннельного результата — TMR-сенсоров. Магнитные детекторы считают всё расширенное применение как в мобильных приборах, так и в самоуправляемом транспорте. Чувствительность датчиков TMR в несколько раз выше, чем в случае предыдущих технологий, что находит резонанс в сердцах проектировщиков автоматических систем.

В то же самое время автозавод SilTerra будет служить основой для расширения изготовления памяти Everspin MRAM. До сегодняшнего дня память MRAM в больших объёвзмах производил автозавод NXP в Соединенных Штатах и организация GlobalFoundries. При помощи малайзийских мощностей SilTerra организация Everspin рассчитывает перемножить предложение любопытной памяти для индустрии, ПК, медицины и автотранспорта. Многочисленное изготовление памяти MRAM в Малайзии ожидается начать в календарном 2020 году.

При всех собственных больших рабочих данных — энергонезависимости, стойкости к сносу, повышенной скорости записи и невысоких задержках — память MRAM владеет невысокой насыщенностью записи. В многочисленном изготовлении располагаются микросхемы MRAM насыщенностью 256 Mbit. С финансовой позиции память такого объёма оправдано ставить в решения, где необходимы не объёмы, но высокая надёжность работы. К примеру, применять в роли энергонезависимого буфера в SSD серверного класса, как это сделала организация IBM. Однако пока создатели и изготовители не обучатся производить гораздо более крепкую MRAM, данная многообещающая разработка так и останется нишевым решением.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *