В начале августа 2014 г организация SK Hynix объявила выпуск будто бы нового вида флеш-памяти под наименованием «4D NAND». Сегодня же докладывается, что изготовитель с успехом сделал этот вид памяти и готовится начать его многочисленное изготовление.
Докладывается, что организация сделала 96-слойные микросхемы памяти «4D NAND» ёмкостью 512 Гбит, другими словами 64 Гигабайт. При этом площадь микросхемы оказалась на 30 % меньше сравнивая с 72-слойной микросхемой той же ёмкости. Также подчеркивается увеличившаяся на 25 и 30 % мощность при чтении и записи как следствие.
До конца года организация SK Hynix рассчитывает начать многочисленное изготовление данных 92-слойных микросхем ёмкостью 512 Гбит. В следующем же году организация планирует начать изготовление таких микросхем объёбог 1 Тбит. Также докладывается о проектах по производству абонентных твердотельных накопителей объёбог до 1 Тбайт на основе своих контроллеров SK Hynix.
Система «4D NAND» по собственной сущности считается скорее всего незначительно усовершенствованной модификацией давно применяемой 3D NAND, чем важно свежим раскладом к образованию твердотельной памяти. Новая память компании SK Hynix будет соединять 2 значительные характеристики. Прежде всего, она будет базироваться на ячейку с западнею заряда (Charge Trap Flash, CTF). Во-вторых, удаленные линии, правящие массивом ячей, будут вынесены под сами ячеи (Periphery Under Cell, PUC).
Но необходимо отметить, что SK Hynix всегда производила память 3D NAND с ячейкой с западнею заряда, как и абсолютное большинство иных изготовителей. Что же касается перевода правящей провинции под ячеи, то аналогичная система, однако под наименованием (CMOS under the array, CuA), достаточно давно применяется Intel и Micron. Но скоро и «Самсунг» начнёт использовать технологию CuA при изготовлении памяти 3D NAND. Таким образом чего-то на самом деле новейшего в памяти «4D NAND» от SK Hynix действительно нет.
